2026 01 03 輝達 2026 年 CoWoS 需求觀察：Rubin 與 Blackwell 的產能配置調整

這份來自 MacroMicro 與 Isaiah Research 的產業報告（2026-01-03）針對 NVIDIA 2026 年的 CoWoS 產能配置提出了關鍵觀察。

節錄報告重點¶

1. 核心觀點：並非需求疲軟，而是「以退為進」的風險控管¶

總量下修： NVIDIA 2026 年的 CoWoS 需求預估從原本的 70~72 萬片，下修至 63~65 萬片 1111。
戰略意圖： 這不代表 AI 終端需求消失，而是為了應對下一代 Rubin 架構的技術瓶頸，主動採取的「產能置換」策略 2222。

2. Rubin (GR100/GR150) 遭遇技術逆風¶

Rubin 架構因技術挑戰導致放量推遲，主要瓶頸如下：

散熱與結構極限： 運算密度過高導致「熱餘裕」不足。CoWoS 中介層與 RDL 的複雜度已達物理極限，散熱成為難題 3。
GR100 需求大砍： 預估量從約 40 萬片大幅下修至 25~27 萬片 4。
GR150 嚴重遞延： 高階版 GR150 在 2026 前三季幾乎無量，預計要到第四季才有極少量的 4,000~5,000 片產出 5。

3. Blackwell Ultra (GB300) 戰略補位¶

為了填補 Rubin 延遲造成的空缺，NVIDIA 轉向技術成熟的上一代架構升級版：

需求逆勢上修： GB300 的需求量從原估的 22 萬片，上修至 31.5~33.5 萬片，增加了約 10 萬片 6。
以空間換取時間： GB300 的後段封裝良率穩定，此策略旨在確保供應鏈穩定，爭取時間解決 Rubin 的技術難題 7。

4. HBM4 整合與供應鏈瓶頸¶

HBM4 的整合是 Rubin 難以放量的另一個關鍵：

良率敏感度高： HBM4 介面更寬、訊號速度更快，導致封裝良率對製程偏差極度敏感 8。
驗證進度落後： 主要供應商（SK 海力士、三星）在迴路測試與功率特性分析上的進度比預期慢，限制了量產可能性 9。

5. 結論¶

這次產能調整反映了先進封裝正面臨物理極限 10。
雖然晶圓總片數下降，但因為 Blackwell 架構在中介層上的晶片密度較高，實際產出的終端運算單元數量未必會同比例減少，AI 伺服器出貨動能預計仍維持高檔 11。

關鍵技術瓶頸¶

根據這份產業報告，NVIDIA 調整 2026 年 Rubin 架構產能配置的主要原因，是因為 Rubin 架構在後段製程遭遇了以下幾個關鍵技術瓶頸：

散熱管理與結構極限：
- Rubin 架構大幅推升了運算密度，導致「熱餘裕」（Thermal Margins）變得相當緊繃 1。
- CoWoS 封裝環節中，中介層（Interposer）與重分佈層（RDL）的結構複雜度已達到極限，超越了先前世代的驗證範圍，使得在堆疊結構中有效散熱成為一大難題 2。
HBM4（第四代高頻寬記憶體）整合挑戰：
- 介面與訊號問題：HBM4 帶來更寬的傳輸介面與更高的訊號速度，直接導致功率密度增加。這顯著放大了 CoWoS 封裝階段對良率的敏感度（Yield Sensitivity），只要製程稍有偏差，良率就可能大幅下滑 3。
- 供應商驗證落後：主要記憶體供應商（如 SK 海力士與三星電子）在 HBM4 的迴路測試、功率特性分析與堆疊驗證進度上比預期緩慢，限制了 Rubin 快速放量與大規模量產的可能性 4444。

由於上述散熱與記憶體整合的技術障礙，導致 Rubin（代號 GR100）的後段製程驗證尚未完全過關，量產時程被迫推遲 5555。為了維持出貨動能，NVIDIA 因此採取了「產能置換」策略，轉而增加製程相對成熟的 Blackwell Ultra（GB300）產能 6666。

關鍵材料與製程技術的公司¶

根據這份產業報告指出的三大瓶頸（HBM4 整合良率、Rubin 散熱極限、CoWoS 中介層複雜度），結合半導體供應鏈的現況，以下幾家掌握關鍵材料與製程技術的公司，最有機會解決這些問題。

這些公司大多是隱形冠軍，位於日本與美國，但在台灣供應鏈中扮演關鍵角色。

1. 解決 HBM4 整合與訊號良率的關鍵：先進封裝膠材¶

報告提到 HBM4 帶來「更寬的傳輸介面」與「對良率極度敏感」。要解決這個問題，關鍵在於堆疊晶片時使用的非導電膠膜 (NCF) 或 底部填充劑 (Underfill)，必須能完美包覆微細的銲錫點（Micro-bumps），防止短路並保護脆弱的晶片。

Resonac (原昭和電工+日立化成) [日本]
- 關鍵材料： NCF (Non-Conductive Film) 與 GNCF。
- 解決什麼： 這是目前 HBM 堆疊製程中最重要的材料。SK Hynix 與 Samsung 在 HBM3e/HBM4 堆疊時，極度依賴 Resonac 的材料來確保 12 層甚至 16 層堆疊後的訊號完整性。如果要提升 HBM4 良率，Resonac 的新一代材料是關鍵。
Namics [日本]
- 關鍵材料： 毛細底部填充劑 (Capillary Underfill)。
- 解決什麼： 針對 CoWoS 封裝中 GPU 與中介層之間的連接，Namics 的材料流動性極佳，能滲透進極窄的間隙中，保護晶片不受熱膨脹係數（CTE）差異導致的破裂影響。
長華電材 (8070.TW) / 代理住友培科 (Sumitomo Bakelite)
- 關鍵材料： 封裝環氧樹酯 (Molding Compound)。
- 解決什麼： HBM4 需要更先進的 MUF (Molded Underfill) 製程來包覆晶片，住友是該領域的龍頭，長華作為代理商在台灣供應鏈具重要地位。

2. 解決 Rubin 散熱極限的關鍵：熱介面材料 (TIM)¶

報告指出 Rubin 因運算密度過高導致「熱餘裕」不足。晶片內部的熱必須極速傳導到散熱器，這中間的介質（TIM）是效能瓶頸。

Honeywell [美國]
- 關鍵材料： 相變化材料 (PCM) - PTM7950 系列。
- 解決什麼： 這是目前高階 GPU (如 RTX 4090, H100) 散熱的「神級材料」。它在室溫下是固態（好安裝），高溫下變液態（填補微小空隙），導熱效率遠超傳統散熱膏。Rubin 要解決熱堆積，極可能需要更下一代的 Honeywell PTM 材料。
信越化學 (Shin-Etsu) [日本]
- 關鍵材料： 高導熱矽膠片 (Thermal Pads) 與液態金屬封裝材。
- 解決什麼： 信越提供 CoWoS 封裝所需的散熱蓋（Lid）貼合材料。針對 Rubin 這種高瓦數晶片，需要信越開發導熱係數更高（>20 W/mK）的特殊介面材料。
Indium Corporation [美國]
- 關鍵材料： 液態金屬 (Liquid Metal) 與銦片。
- 解決什麼： 當傳統聚合物導熱不夠快時，金屬 TIM 是最後手段。它們能解決極端熱通量（Heat Flux）的問題。

3. 解決 CoWoS 中介層物理極限的關鍵：微影與介電材料¶

報告提到 CoWoS 中介層的線路複雜度已達極限。要畫出更細的線（RDL），需要更先進的光阻液與介電材料。

JSR 與 TOK (東京應化工業) [日本]
- 關鍵材料： 厚膜光阻液 (Thick Film Photoresist)。
- 解決什麼： 這是製作 CoWoS RDL（重分佈層）不可或缺的材料。為了在矽中介層上製作密度加倍的線路（報告提到 Blackwell Ultra 的封裝密度是 Rubin 的兩倍），需要 JSR 與 TOK 提供解析度更高的光阻材料，才能避免線路短路，提升中介層良率。
Ajinomoto (味之素) [日本]
- 關鍵材料： ABF (Ajinomoto Build-up Film)。
- 解決什麼： 雖然 CoWoS 核心是矽中介層，但整個封裝最後還是要放在 ABF 載板上。隨著晶片面積變大（Rubin 預計非常巨大），ABF 載板的平整度與絕緣性對良率至關重要。

4. 解決「驗證進度落後」的關鍵：測試介面¶

報告特別提到 SK 海力士與三星在 HBM4 的「迴路測試」與「驗證」進度落後。這代表測試端需要更精密的設備。

FormFactor [美國] / 旺矽 (6223.TW) / 精測 (6510.TW)
- 關鍵產品： MEMS 探針卡 (Probe Cards)。
- 解決什麼： HBM4 的接點密度極高，傳統探針卡無法精準接觸進行測試。需要 MEMS 製程的探針卡來進行晶圓級測試（CP Test），這能幫助記憶體廠更快找出壞掉的晶粒，加速驗證通過的時間。

總結：投資與觀察重點¶

如果 NVIDIA 要解決 Rubin 的瓶頸，Resonac (HBM4膠材) 與 Honeywell/信越 (散熱) 是最直接受惠的材料商；而 JSR/TOK 則是解決 CoWoS 線路良率的幕後功臣。

一、為您的名單進行「戰略驗證」 (為什麼它們現在更重要？)¶

1. HBM 膠材：Resonac 與 Namics (更安全了)¶

您的觀點： HBM4 需要更強的 NCF/Underfill。
軍師驗證： 雖然 Rubin (HBM4) 延後，但 Blackwell Ultra (GB300) 改用 12-Hi HBM3e（12層堆疊）。
- 從 8層 (H100) 變成 12層 (GB300)，晶片更薄、更容易翹曲，對 Resonac 的 NCF 和 Namics 的 Underfill 依賴度反而更高。
- 結論： 它們不需要等 HBM4，光是吃 2026 年 Blackwell Ultra 的 12-Hi 訂單就已經滿載。

2. 散熱：Honeywell 與信越 (不可替代)¶

您的觀點： 熱密度過高，需要神級 TIM (PCM)。
軍師驗證： Blackwell Ultra 雖然是成熟製程，但功耗並未降低（單機櫃功率激增），且因為它是雙晶片 (Dual-die) 封裝，熱源更集中。
- Honeywell PTM7950 目前在最高階 GPU 散熱上幾乎沒有對手（獨佔性極高）。
- 結論： 這是安全名單中的安全名單。

3. 中介層：JSR 與 TOK (最大的受惠者)¶

您的觀點： 線路極限需要更強的光阻液。
軍師驗證： 這點最關鍵。Blackwell Ultra 採用 CoWoS-L 技術。
- CoWoS-L 的特點是不再使用整片矽中介層，而是用「有機載板 (RDL)」搭配「矽橋 (LSI Bridge)」。
- 這意味著 RDL (重分佈層) 的層數與複雜度大增。這直接暴增了對 JSR 和 TOK 的厚膜光阻液需求。
- 結論： CoWoS-L 是這兩家公司的大利多。

漏掉的「隱形關鍵材料」¶

除了您列出的名單，針對 CoWoS-L 和 HBM 堆疊，還有幾家公司是供應鏈中「不能說的秘密」，建議您加入觀察清單：

1. 解決 CoWoS-L 的平坦度難題：CMP 研磨液¶

關鍵瓶頸： CoWoS-L 需要把矽橋 (LSI) 埋進有機載板中，然後磨平。只要磨得不平，線路就會斷。隨著 GB300 的封裝尺寸變大，研磨次數與難度倍增。
隱藏冠軍：Fujimi (藤見合成) [日本]
- 它是台積電先進封裝 CMP 研磨液的主要供應商。隨著 CoWoS 產能翻倍，CMP 研磨液的消耗量是線性的倍數成長。
美股對標：Entegris (ENTG)
- 除了提供高階濾心（過濾光阻液雜質），也併購了 CMP 材料大廠 Cabot，是美系半導體材料的龍頭。

2. 解決微銲點 (Micro-bump) 的連結：錫球與助焊劑¶

關鍵瓶頸： HBM 堆疊時，成千上萬個微小的銲點必須完美連接。
隱藏冠軍：Senju Metal (千住金屬) [日本]
- 全球市佔率極高的微球 (Micro Solder Ball) 供應商。沒有它的高品質錫球，HBM 堆疊良率會崩盤。

3. 台灣供應鏈的「軍火庫」 (設備與代理)¶

既然您提到無法直接買日股，以下幾家台股是與上述材料高度連動的：

弘塑 (3131.TW) / 萬潤 (6187.TW)：
- 這兩家雖然是設備，但它們是 CoWoS 濕製程 (清洗/蝕刻) 與 點膠 (Dispensing) 的龍頭。
- Namics 的膠材再好，也需要萬潤的點膠機精準地把它點進去。
- JSR 的光阻再強，也需要弘塑的設備去清洗和顯影。
長華電材 (8070.TW)：
- 您提到的沒錯，它是 Sumitomo Bakelite 的代理。隨著 GB300 封裝體積變大，封裝樹脂 (Molding Compound) 的用量會大增，長華是直接受惠者。
華立 (3010.TW)：
- 它是 JSR 光阻液在台灣的主要代理商。如果您看好 JSR 在 CoWoS-L 的爆發，華立就是台股的直接對應標的。

三、總結與投資建議¶

您的名單邏輯非常清晰，完全可以繼續投資。

最穩健 (核心持股)： Resonac (HBM 堆疊之王)、Honeywell (散熱獨佔)、信越化學 (材料霸主)。
爆發力最強 (受惠 CoWoS-L)： JSR / TOK (光阻)、Fujimi (CMP 研磨)。
台股對應 (操作靈活)： 長華 (材料代理)、華立 (光阻代理)、旺矽 (HBM 測試探針卡)。

建議操作：

既然報告說 Rubin 延後、Blackwell Ultra 補位，您可以稍微調高對 CoWoS-L 相關材料 (RDL/光阻/研磨) 的權重，因為 Blackwell Ultra 的「封裝複雜度」比 Rubin 更依賴現有的成熟堆疊技術。

2026 01 03 輝達 2026 年 CoWoS 需求觀察：Rubin 與 Blackwell 的產能配 置調整